具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管
牟桐; 邓军; 杜玉杰; 冯献飞; 刘明 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室
摘要：基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺流片后进行封装测试。测试结果显示,具有超晶格雪崩区的电子倍增型APD器件,其暗电流可以控制在纳安级,光电流增益达到140,证明具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管具有很好的光电探测性能。
来源期刊：半导体光电
关键词：超晶格结构雪崩光电二极管 离化率 信噪比 探测率
来源期刊：半导体光电 2017年第05期
