Ieee Journal Of Solid-state Circuits 收藏杂志
  • 中科院分区:1区
  • JCR分区:Q1
  • CiteScore :11

Ieee Journal Of Solid-state CircuitsSCIE

国际简称:IEEE J SOLID-ST CIRC 中文名称:IEEE固态电路杂志

Ieee Journal Of Solid-state Circuits杂志是一本工程技术-工程:电子与电气应用杂志。是一本享有盛誉的顶级学术杂志,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版,该期刊创刊于1966年,出版周期为Monthly,始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中,被归类为大类学科分区1区,显示出其卓越的学术水平和影响力。

  • ISSN:0018-9200

  • 出版地区:UNITED STATES

  • 出版周期:Monthly

  • E-ISSN:1558-173X

  • 创刊时间:1966

  • 出版语言:English

  • 是否OA:未开放

  • 预计审稿时间: 一般,3-6周

  • 影响因子:4.6

  • 是否预警:否

  • 研究方向:工程技术,工程:电子与电气

  • 年发文量:304

  • 研究类文章占比:100.00%

  • Gold OA文章占比:13.89%

  • H-index:197

  • 出版国人文章占比:0.1

  • 开源占比:0.1379

  • 文章自引率:0.2037...

杂志简介

《IEEE 固态电路杂志》每月都会发表固态电路领域的论文,特别强调集成电路的晶体管级设计。它还涵盖与 IC 设计直接相关的电路建模、技术、系统设计、布局和测试等主题。集成电路和 VLSI 是主要关注点;与分立电路设计相关的材料很少发表。强烈鼓励进行实验验证。

值得一提的是,Ieee Journal Of Solid-state Circuits已成功入选 SCIE(科学引文索引扩展板) 等国际知名数据库,这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来,该杂志一直保持着Monthly的出版周期,以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR(Journal Citation Reports)分区等级中,该期刊荣获Q1评级。此外,其CiteScore指数达到11,该期刊2023年的影响因子达到4.6,再次验证了其优秀学术水平。

Ieee Journal Of Solid-state Circuits是一本未开放获取期刊,但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说,该期刊都是一份不可或缺的重要资源。

期刊指数

中科院SCI分区
CiteScore指数
自引率
发文量

中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界,中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此,对于科研工作者来说,了解中科院SCI分区的标准和方法,以及具体的分区结果,对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。

CiteScore(或称为引用指数)是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数,这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。

自引率的计算公式为:自引率 = (期刊自己发表的文章被自己引用的次数) / (期刊自己发表的文章总数)。其中,期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文,包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高,可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。

中科院分区表

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 1区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
1区

JCR 分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 74 / 352

79.1%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 66 / 354

81.5%

CiteScore 分区(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
11 2.876 2.612
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q1 78 / 797

90%

文章摘录

  • Configurable Hybrid Energy Synchronous Extraction Interface With Serial Stack Resonance for Multi-Source Energy Harvesting Author: Wang, Xiudeng; Xia, Yinshui; Zhu, Zhangming; Shi, Ge; Xia, Huakang; Ye, Yidie; Chen, Zhidong; Qian, Libo; Liu, Lianxi Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 451-461. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3182118
  • A D-Band Joint Radar-Communication CMOS Transceiver Author: Deng, Wei; Chen, Zipeng; Jia, Haikun; Guan, Pingda; Ma, Taikun; Yan, Angxiao; Sun, Shiyan; Huang, Xiangrong; Chen, Guopei; Ma, Ruichang; Dong, Shengnan; Duan, Luqiang; Wang, Zhihua; Chi, Baoyong Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 411-427. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3185160
  • A 60-MS/s 5-MHz BW Noise-Shaping SAR ADC With Integrated Input Buffer Achieving 84.2-dB SNDR and 97.3-dB SFDR Using Dynamic Level-Shifting and ISI-Error Correction Author: Guo, Yuekang; Jin, Jing; Liu, Xiaoming; Zhou, Jianjun Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 474-485. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3185501
  • A 211-to-263-GHz Dual-LC-Tank-Based Broadband Power Amplifier With 14.7-dBm P-SAT and 16.4-dB Peak Gain in 130-nm SiGe BiCMOS Author: Yu, Jiayang; Chen, Jixin; Zhou, Peigen; Li, Huanbo; Wang, Zuojun; Li, Zekun; Chen, Zhe; Yan, Pinpin; Hou, Debin; Gao, Hao; Hong, Wei Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 332-344. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3192043
  • A CMOS Wideband Watt-Level 4096-QAM Digital Power Amplifier Using Reconfigurable Power-Combining Transformer Author: Yang, Bingzheng; Qian, Huizhen Jenny; Wang, Tianyi; Luo, Xun Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 357-370. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3191975
  • A Fully-Integrated Wideband Digital Polar Transmitter With 11-bit Digital-to-Phase Converter in 40nm CMOS Author: Hu, Chunxiao; Yin, Yun; Li, Tong; Liu, Yangzi; Xiong, Liang; Xu, Hongtao Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 462-473. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3192281
  • A 389 TOPS/W, Always ON Region Proposal Integrated Circuit Using In-Memory Computing in 65 nm CMOS Author: Bose, Sumon Kumar; Basu, Arindam Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 554-568. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3194098
  • A Low-Phase-Noise Quad-Core Millimeter-Wave Fundamental VCO Using Circular Triple-Coupled Transformer in 65-nm CMOS Author: Jia, Haikun; Guan, Pingda; Deng, Wei; Wang, Zhihua; Chi, Baoyong Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 371-385. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3196181

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