Ieee Transactions On Device And Materials Reliability杂志是一本工程技术-工程:电子与电气应用杂志。是一本国际优秀学术杂志,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版,该期刊创刊于2001年,出版周期为Quarterly,始终保持着高质量和高水平的学术内容。在中科院分区表2023年12月升级版中,被归类为大类学科分区3区,显示出其优秀的学术水平和影响力。
ISSN:1530-4388
出版地区:UNITED STATES
出版周期:Quarterly
E-ISSN:1558-2574
创刊时间:2001
出版语言:English
是否OA:未开放
预计审稿时间: 较慢,6-12周
影响因子:2.5
是否预警:否
研究方向:工程技术,工程:电子与电气
年发文量:72
研究类文章占比:97.22%
Gold OA文章占比:24.52%
H-index:63
出版国人文章占比:0.14
开源占比:0.057
文章自引率:0.05
出版物的范围包括但不限于以下方面的可靠性:设备、材料、工艺、接口、集成微系统(包括 MEMS 和传感器)、晶体管、技术(CMOS、BiCMOS 等)、集成电路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶体管应用。从概念阶段到研发再到制造规模,在每个阶段对这些实体的可靠性进行测量和理解,为成功将产品推向市场提供了设备、材料、工艺、封装和其他必需品的可靠性的整体数据库。这个可靠性数据库是满足客户期望的优质产品的基础。这样开发的产品具有高可靠性。高质量将实现,因为产品弱点将被发现(根本原因分析)并在最终产品中设计出来。这个不断提高可靠性和质量的过程将产生卓越的产品。归根结底,可靠性和质量不是一回事;但从某种意义上说,我们可以做或必须做一切事情来保证产品在客户条件下在现场成功运行。我们的目标是抓住这些进步。另一个目标是关注电子材料和设备可靠性的最新进展,并提供对影响可靠性的基本现象的基本理解。此外,该出版物还是可靠性跨学科研究的论坛。总体目标是提供前沿/最新信息,这些信息与可靠产品的创造至关重要。
值得一提的是,Ieee Transactions On Device And Materials Reliability已成功入选 SCIE(科学引文索引扩展板) 等国际知名数据库,这进一步彰显了其作为国际优秀期刊的卓越地位和广泛影响力。自创刊以来,该杂志一直保持着Quarterly的出版周期,以高质量、高水平的学术内容著称。在JCR(Journal Citation Reports)分区等级中,该期刊荣获Q2评级。此外,其CiteScore指数达到4.8,该期刊2023年的影响因子达到2.5,再次验证了其优秀学术水平。
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability是一本未开放获取期刊,但其高质量的学术内容和广泛的影响力使其成为了工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究领域不可或缺的重要刊物。无论是对于学者、研究人员还是学术界来说,该期刊都是一份不可或缺的重要资源。
中科院SCI分区是中国科学院对SCI期刊进行的一种分类和评级。在学术界,中科院SCI分区被广泛应用于科研业绩奖励、职称评审等方面。许多高校和科研单位会按照中科院SCI分区的标准来加权计算科研成果的影响力。因此,对于科研工作者来说,了解中科院SCI分区的标准和方法,以及具体的分区结果,对于评估自己的科研成果和选择合适的期刊发表论文都非常重要。
CiteScore(或称为引用指数)是由全球著名学术出版商Elsevier于2016年12月基于Scopus数据源推出的期刊评价指标。CiteScore指数能够反映期刊在较长时间内的平均影响力。通过计算期刊过去四年内发表的文章被引用的次数,这使得该指标能够更准确地评估期刊的影响力和学术价值。
自引率的计算公式为:自引率 = (期刊自己发表的文章被自己引用的次数) / (期刊自己发表的文章总数)。其中,期刊自己发表的文章指的是该期刊所发表的所有论文,包括文章、综述、简报、通讯等各类论文。如果自引率过高,可能会影响到该期刊的学术声誉和权威性。
中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版
Top期刊 | 综述期刊 | 大类学科 | 小类学科 |
否 | 否 | 工程技术 3区 |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:电子与电气
PHYSICS, APPLIED
物理:应用
3区
3区
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按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97% |
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||
4.8 | 0.436 | 1.148 |
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